| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-252 |
30000 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRD-PAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1970 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IR原装TO-252 |
24038 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-252 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD-Pak |
2000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRSOT-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-252 |
200000 |
00+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOT-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRSOT-252 |
30000 |
02+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR原装TO-252 |
9860 |
19+ |
一级代理 |
IRG4RC10UTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC10UTR图片
IRG4RC10UTRPBF价格
IRG4RC10UTRPBF价格：￥4.7734品牌：International
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IRG4RC10UTR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10UTR功能描述:IGBT UFAST 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10UTRL功能描述:IGBT UFAST 600V 8.5A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10UTRLPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10UTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC10UTR
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
- 开关能量：
80µJ（开），160µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/116ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
