| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
IRTO252 |
32156 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
IR原厂原装 |
2051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-252 |
7600 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
IRTO-252 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
|
IRTO-252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
IRTO-252 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IRTO-252 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
4100 |
03+ |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
7600 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
IRTO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
4000 |
03+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
4000 |
03+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
4000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
IRTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-252 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
IRG4RC10SDTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC10SDTR图片
IRG4RC10SDTRPBF价格
IRG4RC10SDTRPBF价格：￥6.5547品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4RC10SDTRPBF多少钱，想知道IRG4RC10SDTRPBF价格是多少？参考价：￥6.5547。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC10SDTRPBF批发价格及采购报价，IRG4RC10SDTRPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC10SDTRPBF报价。
IRG4RC10SDTR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10SDTR制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Transistor, N-CHAN, TO-252AA
IRG4RC10SDTRLP功能描述:IGBT UFAST 600V 14A COPACK DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10SDTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SDTRRP功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
