| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRSOT-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
53250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
224 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRSOT-252 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装现货,价格优势热卖 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-252-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-252(DPAK) |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
IRG4RC10SD采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC10SD图片
IRG4RC10SDPBF价格
IRG4RC10SDPBF价格：￥6.4489品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRG4RC10SDPBF多少钱，想知道IRG4RC10SDPBF价格是多少？参考价：￥6.4489。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC10SDPBF批发价格及采购报价，IRG4RC10SDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC10SDPBF报价。
IRG4RC10SD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10SD功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10SDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SDTR制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Transistor, N-CHAN, TO-252AA
IRG4RC10SDTRLP功能描述:IGBT UFAST 600V 14A COPACK DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10SDTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SDTRRP功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC10SD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
- 测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W DPAK
