| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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IRTO252 |
20000 |
23+ |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRSOT-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR/FSCTO-252 |
9500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
12800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
12800 |
08+ |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ADIQSOP16 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRG4RC10S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC10S图片
IRG4RC10SDPBF价格
IRG4RC10SDPBF价格：￥6.4489品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRG4RC10SDPBF多少钱，想知道IRG4RC10SDPBF价格是多少？参考价：￥6.4489。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC10SDPBF批发价格及采购报价，IRG4RC10SDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC10SDPBF报价。
IRG4RC10S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10S制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D-PAK
IRG4RC10SD功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10SDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SDTR制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Transistor, N-CHAN, TO-252AA
IRG4RC10SDTRLP功能描述:IGBT UFAST 600V 14A COPACK DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10SDTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SDTRRP功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ(STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10STR功能描述:IGBT STD 600V 14A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10STRL功能描述:IGBT STD 600V 14A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
