| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
11550 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-252-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
19891 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
6895 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3063 |
06/07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
501021 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
501021 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
IRG4RC10KD采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC10KD图片
IRG4RC10KDTRPBF价格
IRG4RC10KDTRPBF价格：￥6.1247品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4RC10KDTRPBF多少钱，想知道IRG4RC10KDTRPBF价格是多少？参考价：￥6.1247。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC10KDTRPBF批发价格及采购报价，IRG4RC10KDTRPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC10KDTRPBF报价。
IRG4RC10KD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10KD功能描述:DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KDTR制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4RC10KDTRR制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC10KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
- 开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK
