选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
11550 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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IRSOT252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR/FSCTO-252 |
9500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
501020 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
03+ |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
501020 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
6500 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRSOT252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
IRG4RC10K采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4RC10K图片
IRG4RC10KDTRPBF价格
IRG4RC10KDTRPBF价格:¥6.1247品牌:International
生产厂家品牌为International的IRG4RC10KDTRPBF多少钱,想知道IRG4RC10KDTRPBF价格是多少?参考价:¥6.1247。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG4RC10KDTRPBF批发价格及采购报价,IRG4RC10KDTRPBF销售排行榜及行情走势,IRG4RC10KDTRPBF报价。
IRG4RC10K中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10K功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KD功能描述:DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KDTR制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4RC10KDTRR制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KTR功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KTRL功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号:
IRG4RC10K
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.62V @ 15V,5A
- 开关能量:
160µJ(开),100µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
11ns/51ns
- 测试条件:
480V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 9A 38W DPAK