选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRTO263 |
1840 |
2022+ |
|
只做原装进口 免费送样 |
||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
TO-252 |
30000 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
IRTO263 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
15000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-252 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO252 |
11550 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市创芯联科技电子有限公司5年
留言
|
IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
|
正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市思乐华科技有限公司1年
留言
|
IRTO252 |
10000 |
22+ |
本司只做现货,原装 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
|
IRTO252 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-252 |
6000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-252(DPAK) |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-252(DPAK) |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IR/VISHAYSOT-252 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市恒嘉威智能科技有限公司2年
留言
|
IRTO-252 |
25000 |
21+ |
原装正品价格绝对优势 |
IRG4RC10采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4RC10图片
IRG4RC10UTRPBF价格
IRG4RC10UTRPBF价格:¥4.7734品牌:International
生产厂家品牌为International的IRG4RC10UTRPBF多少钱,想知道IRG4RC10UTRPBF价格是多少?参考价:¥4.7734。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG4RC10UTRPBF批发价格及采购报价,IRG4RC10UTRPBF销售排行榜及行情走势,IRG4RC10UTRPBF报价。
IRG4RC10UTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KD功能描述:DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KDTR制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4RC10KDTRR制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10KTR功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件