| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SUPER-247 |
2261 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO247 |
300 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSUPER247 |
65400 |
23+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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225 |
1907+ |
20年老字号,原装优势长期供货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRSUPER-247 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRSUPER-247 |
35890 |
23+ |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
6000 |
23+ |
可订货,请确认 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONSUPER-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSUPER-247 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRSUPER247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-247 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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International Rectifier |
1 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesSUPER247 (TO274AA) |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSUPER-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSUPER-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSUPER-247 |
5632 |
23+ |
IRG4PSH71采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4PSH71图片
IRG4PSH71KPBF价格
IRG4PSH71KPBF价格：￥52.5099品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRG4PSH71KPBF多少钱，想知道IRG4PSH71KPBF价格是多少？参考价：￥52.5099。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4PSH71KPBF批发价格及采购报价，IRG4PSH71KPBF销售排行榜及行情走势，IRG4PSH71KPBF报价。
IRG4PSH71UPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4PSH71制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PSH71KD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 78A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PSH71KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PSH71KPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PSH71U功能描述:IGBT UFAST 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PSH71UD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PSH71UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PSH71UPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
