选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
IRTO-220 |
50000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
IR/VISHAYD2-PAK |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
IRTO-220 |
29840 |
22+ |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-220AB |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220 |
28695 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
||||
|
深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
|
IRTO-220 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
IR原厂原装 |
951 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司2年
留言
|
IRTO-220AB |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司2年
留言
|
IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
36300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
IRTO-220AB |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
IRG4BC20MD采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4BC20MD图片
IRG4BC20MDPBF价格
IRG4BC20MDPBF价格:¥9.6050品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRG4BC20MDPBF多少钱,想知道IRG4BC20MDPBF价格是多少?参考价:¥9.6050。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG4BC20MDPBF批发价格及采购报价,IRG4BC20MDPBF销售排行榜及行情走势,IRG4BC20MDPBF报价。
IRG4BC20MD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC20MD制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20MDS制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MD-S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20MDS_07制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20MD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20MD-STRL功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRR功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB