| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
 |
IRTO-263 |
23500 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IRTO263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
|
IRD2-PAK |
6000 |
2105+ |
原装正品 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
|
Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IRTO263 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IR原厂原装 |
4000 |
23+ |
全新原装 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
|
IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
4050 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
IRTO-263 |
35890 |
23+ |
||||
|
深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
IR |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
IRD2-Pak |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRG4BC20K-S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4BC20K-S图片
IRG4BC20K-S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC20K-S功能描述:IGBT UFAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20K-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20K-STRL制造商:International Rectifier 功能描述:600V 10.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC20K-STRLP功能描述:IGBT ULT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20K-STRRP功能描述:IGBT 模块 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC20K-S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，9A
- 开关能量：
150µJ（开），250µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/150ns
- 测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
