| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
3440 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO220 |
9000 |
19+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO220 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
29840 |
23+24 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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InfineonNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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IRNA |
880000 |
2004 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IRG4BC10U图片
IRG4BC10UDPBF价格
IRG4BC10UDPBF价格：￥6.1920品牌：International
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IRG4BC10UD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC10UD制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR((NS))
IRG4BC10UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC10UPBF功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
