选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-220 |
100000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFZ48VPBF 绝对正品,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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IRTO220 |
2897 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IRTO-220 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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IRTO220 |
2897 |
12+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
10813 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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IRTO-220 |
9865 |
23+/24+ |
原包原标签100%进口原装可开13%税 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
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IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4688 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
87753 |
22+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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IR原厂封装 |
5074 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IRFZ48V采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFZ48V图片
IRFZ48VSPBF价格
IRFZ48VSPBF价格:¥0.0000品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRFZ48VSPBF多少钱,想知道IRFZ48VSPBF价格是多少?参考价:¥0.0000。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFZ48VSPBF批发价格及采购报价,IRFZ48VSPBF销售排行榜及行情走势,IRFZ48VSPBF报价。
IRFZ48V资讯
IRFZ48VPBF TO-220封装 IRFZ48VS TO-263封装,现货热卖,厂家直销,绝对市场最低价
型号:IRFZ48VPBF 品牌:IR 类型:MOS管 描述:MOSFETN-CH60V72ATO-220AB 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源
IRFZ48V中文资料Alldatasheet PDF
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IRFZ48VPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48VS功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ48VSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFZ48VSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 72A 3PIN D2PAK - Tape and Reel