| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
50000 |
13+ |
勤思达主营IR系列,全新原装正品,公司现货供应。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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175000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
11025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
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500 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRDIP-8 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP-16 |
3888 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-263 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
127048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IRTO-220 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
769 |
21+ |
全新、原装 |
IRFZ48N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRFZ48NPBF价格：￥2.3220品牌：INTERNATIONAL
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IRFZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB MOS管 场效应管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRFZ48NPBFTO-220ABMOS管
IRFZ48NPBF 原装正品 大量现货 深 圳 市 神 舟 芯 电 子 科 技 有 限 公 司
深圳市神舟芯电子科技有限公司联系人：张小姐电话：0755-23156358/15814652535传真：0755-23156358地址：深圳市宝安区民治大道华侨新苑5--11AQQ：2443899114网址：www.szx-ic.com本公司只做原装，散新勿扰IRFZ48NPBF功能描述:MOSFETMOSFT55V64A14mOhm54nCRoHS:否制造商
IRFZ48NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ48N功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 64A, 14 mOhm, 54 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ48NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ48NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ48NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ48NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
