| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
3700 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-5 |
800 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
4800 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-5 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
20000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
9782 |
ROHS全新原装 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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IR/INFINEONTO220 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
1 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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IR原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
12550 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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IRFZ34图片
IRFZ34NPBF价格
IRFZ34NPBF价格：￥1.2182品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFZ34NPBF多少钱，想知道IRFZ34NPBF价格是多少？参考价：￥1.2182。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ34NPBF批发价格及采购报价，IRFZ34NPBF销售排行榜及行情走势，IRFZ34NPBF报价。
IRFZ34NPBF资讯
IRFZ34NS 250A55V TO263 IR N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRFZ34NSTO263250A55V
IRFZ34NSTR
型号：IRFZ34NSTR 品牌：IR/国际整流器 描述MOSFETN-CH55V29AD2PAK 类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单 系列：HEXFET® FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：标准型 漏极至源极电压(Vd
IRFZ34NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ34功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
IRFZ34E功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34EHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ34EPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34L功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34LPBF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34N功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34N-019制造商:IandR 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
