| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-251 |
21350 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 251 |
154954 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-251 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-251 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYI-PAK (TO-251) |
3620 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-251 |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251 |
28048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-251 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-251 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
7413 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-251 |
16508 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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INFINEON原厂封装 |
3000 |
2147+ |
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15年芯片行业经验/只供原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
1109 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
24850 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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1000 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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IRFU220图片
IRFU220BTU_AM002价格
IRFU220BTU_AM002价格：￥1.4469品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的IRFU220BTU_AM002多少钱，想知道IRFU220BTU_AM002价格是多少？参考价：￥1.4469。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFU220BTU_AM002批发价格及采购报价，IRFU220BTU_AM002销售排行榜及行情走势，IRFU220BTU_AM002报价。
IRFU220NPBF资讯
IRFU220NPBF
IRFU220NPBF
IRFU220NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU220功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220_R4941功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | TO-251AA
IRFU220B制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFU220BTLTU功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRFU220BTU_AM002功能描述:MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU_F080功能描述:MOSFET Trans N-Ch 100V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220N功能描述:MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
