| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
61 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
37607 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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原厂原包原装 |
54400 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
08+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VBsemiTO263 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
5788 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VBsemiTO263 |
11000 |
22+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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IRFS3307图片
IRFS3307TRLPBF价格
IRFS3307TRLPBF价格：￥10.0238品牌：International
生产厂家品牌为International的IRFS3307TRLPBF多少钱，想知道IRFS3307TRLPBF价格是多少？参考价：￥10.0238。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFS3307TRLPBF批发价格及采购报价，IRFS3307TRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFS3307TRLPBF报价。
IRFS3307资讯
IRFS3307 75V120A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRFS330775V120ATO263IR整流器
IRFS3307中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS3307功能描述:MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS3307_06制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3307TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3307ZPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3307ZTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3307ZTRRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
