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深圳市正纳电子有限公司

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IRTO-263

9782

ROHS全新原装

原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权

深圳市永贝尔科技有限公司

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原厂原装

11260

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进口原厂原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

7000

23+

原装正品!假一罚十!

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-263

581

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)tray

4000

2022+

Infineon 现货直销 当天发货正品渠道

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-263-D2PAK

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市创芯联科技电子有限公司

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IR(国际整流器)D2PAK

2800

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:¥$0.10

正品现货直销 稳定供应现货可含税

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-263

32500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRD2-Pak

31518

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原装正品 可含税交易

深圳市煌宇科技有限公司

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INFINEONN/A

3000

22+

原装正品,支持实单,欢迎洽谈

深圳市福田区晶康业电子商行

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IRSOT263

1000

20+

全新原装,价格优势

深圳美顺电子科技有限公司

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IRD2-PAK

11000

10MX

原厂直销

深圳市德创芯微科技有限公司

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IRTO-263

150

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全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

深圳市威雅利发展有限公司

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IRTO-263

150

12+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-263

50000

21+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市兴灿科技有限公司

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IRTO-263

5000

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进口原装现货

深圳市晨豪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

89630

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当天发货全新原装现货

深圳市斌腾达科技有限公司

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Infineon TechnologiesD2PAK

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100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!

深圳市永贝尔科技有限公司

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IRFNA

19960

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只做进口原装,终端工厂免费送样

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IRFS31N20D制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK

IRFS31N20DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Rail/Tube

IRFS31N20DPBF功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFS31N20DTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFS31N20DTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Tape and Reel

IRFS31N20DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFS31N20DTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFS31N20DTRRP功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube