| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO-252 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYTO-252 |
24000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世TO-252-3 |
920 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
22000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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VISHAYTO-252 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
30000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60638 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市凯昱电子有限公司4年
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VISHAYTO-252 |
8080 |
21+ |
只有原装,支持实单 |
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深圳市鹏锦翔科技有限公司三部2年
留言
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VISHAYTO-252 |
10080 |
21+ |
原装,诚信经营 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世通na |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRD-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
IRFR9014采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9014图片
IRFR9014PBF价格
IRFR9014PBF价格：￥1.5480品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFR9014PBF多少钱，想知道IRFR9014PBF价格是多少？参考价：￥1.5480。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9014PBF批发价格及采购报价，IRFR9014PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9014PBF报价。
IRFR9014资讯
IRFR9014PBF
原装进口★现货正品★原厂授权中国分销商
IRFR9014中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9014功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014CPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014CTRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014NTR功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9014NTRL功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9014NTRR功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9014PBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TR功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRL功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
