选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO252 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
9520 |
08+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252AA |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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IRTO252 |
500 |
05+ |
公司原装现货,可来看货! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
500914 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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IR/INFINEON252 |
20000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRD-PAK |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
IRFR3303采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR3303图片
IRFR3303TR价格
IRFR3303TR价格:¥1.9500品牌:IR
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IRFR3303中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3303功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303CPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 33A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR3303PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3303TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 33A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3303TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3303TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR3303TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube