| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-PAK |
460 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
2000 |
10+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世TO-252 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
7819 |
19+/20+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
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IR23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-252 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
6698 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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VISHAYTO-252-3 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAYDPAK |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
80000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
8000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
IRFR310采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR310图片
IRFR310TRLPBF价格
IRFR310TRLPBF价格：￥1.6153品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFR310TRLPBF多少钱，想知道IRFR310TRLPBF价格是多少？参考价：￥1.6153。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR310TRLPBF批发价格及采购报价，IRFR310TRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFR310TRLPBF报价。
IRFR310TRLPBF资讯
IRFR310TRPBF百分百进口原装正品现货
IRFR310TRPBF最新到货百分百进口原装正品假一罚十产品种类:MOSFET制造商:VishayRoHS:RoHS合规性豁免详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252AA-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:400VId-连续漏极电流:1.7ARdsOn-漏源导通电阻:3.6
IRFR310TRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR310功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3103功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TR功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRL功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR310BTF功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310BTM功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFR310 & IRFR310A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310PBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310TR功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR310TRA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
