| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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1500 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
3800 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
13048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
1070 |
19+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
12000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
17316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-252 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
7925 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
IRFR2407采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR2407图片
IRFR2407PBF价格
IRFR2407PBF价格：￥2.0864品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFR2407PBF多少钱，想知道IRFR2407PBF价格是多少？参考价：￥2.0864。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR2407PBF批发价格及采购报价，IRFR2407PBF销售排行榜及行情走势，IRFR2407PBF报价。
IRFR2407TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR2407制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFR2407PBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2407TR功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2407TRL功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2407TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 42A 26mOhm 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2407TRPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2407TRR功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2407TRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
