| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
58000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
7500 |
01+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3000 |
04+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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INTRECNA |
564 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INTERSILNA |
880000 |
01+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INTERSIL |
5632 |
2016+ |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有 |
IRFR214采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR214图片
IRFR214TRPBF价格
IRFR214TRPBF价格：￥2.2630品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR214TRPBF多少钱，想知道IRFR214TRPBF价格是多少？参考价：￥2.2630。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR214TRPBF批发价格及采购报价，IRFR214TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR214TRPBF报价。
IRFR214中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR214功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR21496制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR214BTF制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR214BTF_FP001功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR214BTFFP001制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR214BTM制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR214BTM_FP001功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR214PBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR214TR功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR214TRL功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
