| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
65 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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VISHAYTO-220 |
20000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-220-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220-3 |
4003 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
13940 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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VISHAYTO-220 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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25000 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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58843 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳美顺电子科技有限公司1年
留言
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VISHAYTO-220AB |
22000 |
1547CN |
原厂直销 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
IRFBG20采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBG20图片
IRFBG20PBF价格
IRFBG20PBF价格：￥2.8604品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBG20PBF多少钱，想知道IRFBG20PBF价格是多少？参考价：￥2.8604。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBG20PBF批发价格及采购报价，IRFBG20PBF销售排行榜及行情走势，IRFBG20PBF报价。
IRFBG20中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBG20功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBG20L功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBG20PBF功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
