| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
12000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO220 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYTO-220AB |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
5900 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TO-220AB |
61540 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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5800 |
20+ |
TO-220-3 |
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深圳市华睿洋科技有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220 |
30000 |
22+ |
只做原装 只有原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBTO-220 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VishayTO-220 |
51910 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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IR |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
87673 |
22+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
14000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ixysTO-220 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
IRFBF30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBF30图片
IRFBF30PBF价格
IRFBF30PBF价格：￥4.7449品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBF30PBF多少钱，想知道IRFBF30PBF价格是多少？参考价：￥4.7449。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBF30PBF批发价格及采购报价，IRFBF30PBF销售排行榜及行情走势，IRFBF30PBF报价。
IRFBF30中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBF30功能描述:MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30L功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBF30PBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRL功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBF30STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRR功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
