| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
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VISHAYT0-220AB |
999999 |
22+ |
IRFBE30PBF原装正品现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYTO-220 |
20000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
2400 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
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IRTO-247 |
1280 |
23+ |
进口原装假一罚十特价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO220AB |
101 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
12444 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
44850 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHAYTO-220AB |
29865 |
22+ |
优势库存.原装正品.终端BOM表可配单 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
68000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
236 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
989 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)D2PAK(TO-263AB) |
58282 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)D2PAK(TO-263AB) |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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2600 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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VISHAYTO-220AB |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世D2PAK |
4480 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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IRFBE30SPBF价格
IRFBE30SPBF价格：￥10.3326品牌：Vishay
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IRFBE30PBF IRLU8743PBF IRF640PBF HUF75645S3ST百分百原装正品
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IRFBE30STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBE30功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30L功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30PBF功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30S功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30STRL功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE30STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE30STRR功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
