选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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VISHAY/威世TO-220 |
4800 |
22+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
2685 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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21030 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)Tube |
62790 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
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VISHAYTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
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IRTO-220 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IRTO-220 |
98 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
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IRTO-220 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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IRTO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRY0104 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VishaySiliconixTO-220-3 |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
IRFBE20采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFBE20图片
IRFBE20PBF价格
IRFBE20PBF价格:¥3.1362品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBE20PBF多少钱,想知道IRFBE20PBF价格是多少?参考价:¥3.1362。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFBE20PBF批发价格及采购报价,IRFBE20PBF销售排行榜及行情走势,IRFBE20PBF报价。
IRFBE20中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBE20功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE20PBF功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE20S功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE20STRL功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE20STRR功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件