选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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VishayTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISD2PAK(TO-263) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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1989 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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1600 |
20+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
12000 |
19+ |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
10155 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO263 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
74508 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRSOT-263 |
6026 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IRFBC40AS图片
IRFBC40ASTRLPBF价格
IRFBC40ASTRLPBF价格:¥11.9801品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFBC40ASTRLPBF多少钱,想知道IRFBC40ASTRLPBF价格是多少?参考价:¥11.9801。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFBC40ASTRLPBF批发价格及采购报价,IRFBC40ASTRLPBF销售排行榜及行情走势,IRFBC40ASTRLPBF报价。
IRFBC40AS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC40AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBC40ASTRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube