| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
50 |
18+ |
只做原装正品 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
2840 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IR墨西哥TO-220 |
69 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
3000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IRTO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO220AB |
56000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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1989 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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VishayTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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VISHAY/威世TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
300 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59339 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
300 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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300 |
11+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
17741 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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IRFBC40图片
IRFBC40ASTRLPBF价格
IRFBC40ASTRLPBF价格：￥11.9801品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFBC40ASTRLPBF多少钱，想知道IRFBC40ASTRLPBF价格是多少？参考价：￥11.9801。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC40ASTRLPBF批发价格及采购报价，IRFBC40ASTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC40ASTRLPBF报价。
IRFBC40PBF资讯
IRFBC40APBF
IRFBC40APBF
IRFBC40PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC40功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40_R4943功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40AL功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBC40APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC40ASTRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
