| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYTO-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-263 |
977 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
11097 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
4227 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
4675 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT-263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
501598 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
501598 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
IRFBC30S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBC30S图片
IRFBC30STRLPBF价格
IRFBC30STRLPBF价格：￥4.6187品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBC30STRLPBF多少钱，想知道IRFBC30STRLPBF价格是多少？参考价：￥4.6187。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC30STRLPBF批发价格及采购报价，IRFBC30STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC30STRLPBF报价。
IRFBC30S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC30S功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30STRL功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBC30STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC30STRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
