| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYTO-220 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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VISHAY/威世TO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220-3 |
14000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
2146 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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INFINEONTO-263 |
1500 |
20+ |
原装正品 现货 真诚出货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
1146 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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VISHAYTO-220 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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VISHAYTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
9000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62181 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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IRFBC20图片
IRFBC20PBF价格
IRFBC20PBF价格：￥1.9518品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFBC20PBF多少钱，想知道IRFBC20PBF价格是多少？参考价：￥1.9518。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC20PBF批发价格及采购报价，IRFBC20PBF销售排行榜及行情走势，IRFBC20PBF报价。
IRFBC20PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBC20功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20L功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20PBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20S功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20S/LPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBC20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBC20STRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
