选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
|
原厂原包原装 |
38560 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220 |
15543 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220 |
11275 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-220 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
|
深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
15398 |
21+ |
全新、原装 |
|||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEONTO-220 |
7236 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IRTO-220 |
17408 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-220 |
147 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
||||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
697 |
17+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
|
INFINEONTO-220 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
|||
|
深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
|
INFINEONTO220 |
1990 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
TO-220 |
12550 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEONTO-220 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
INFINEONTO-220 |
15398 |
16+ |
原装库存有订单来谈优势 |
IRFB42N20采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFB42N20图片
IRFB42N20DPBF价格
IRFB42N20DPBF价格:¥5.9901品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFB42N20DPBF多少钱,想知道IRFB42N20DPBF价格是多少?参考价:¥5.9901。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFB42N20DPBF批发价格及采购报价,IRFB42N20DPBF销售排行榜及行情走势,IRFB42N20DPBF报价。
IRFB42N20DPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB42N20D功能描述:MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFB42N20DPBF功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube