| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
10000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
10748 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220AB |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRTO-220AB |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
11868 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
7480 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-220 |
10000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
19060 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-220 |
10000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
6127 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
21811 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
15016 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
IRFB3307采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFB3307图片
IRFB3307ZPBF价格
IRFB3307ZPBF价格：￥3.9036品牌：INTERNATIONAL
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IRFB3307ZPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB3307功能描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFB3307HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 130A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFB3307PBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3307ZGPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB3307ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
