| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP |
2 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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2000 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
14548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
18816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营SOP8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
8000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRSOIC8 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRSOP |
8238 |
23+ |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IORSOP8 |
3720 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
22788 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
IRF9953采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF9953图片
IRF9953TRPBF价格
IRF9953TRPBF价格：￥1.4807品牌：International
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IRF9953中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9953功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF9953PBF功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9953TR功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF9953TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
