| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF9630PBF,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
100 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO220 |
16850 |
1912+ |
绝对原装现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYTO-220 |
5000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
16 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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VISHAYTO220AB |
30000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
10600 |
2021+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器TO220AB |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
134000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO-263 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYTO220 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAYDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
8800 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1730 |
05+ |
全新原装,价格优势 |
IRF9630采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF9630图片
IRF9630价格
IRF9630价格：￥18.4823品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF9630多少钱，想知道IRF9630价格是多少？参考价：￥18.4823。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF9630批发价格及采购报价，IRF9630销售排行榜及行情走势，IRF9630报价。
IRF9630STRRPBF资讯
IRF9630PBF
型号：IRF9630PBF 资料： 类别分立半导体产品 家庭FET-单 系列- FET类型MOSFETP通道，金属氧化物 FET功能标准 漏源极电压(Vdss)200V 电流-连续漏极(Id)（25°C时）6.5A 不同Id
IRF9630STRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9630功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630L功能描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9630PBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630S功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630S.PBF制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET P D2-PAK
IRF9630SPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630STRL功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630STRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9630STRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
