| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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VISHAYTO-263 |
630 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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VISHAY/威世TO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
620 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
9900 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYTO220 |
8560 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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56900 |
21+/22+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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VISHAYTO-220-3 |
45900 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAYDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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59859 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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MOTNA |
6500 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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哈里斯TO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
284 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
IRF9610采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF9610图片
IRF9610PBF价格
IRF9610PBF价格：￥2.5297品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF9610PBF多少钱，想知道IRF9610PBF价格是多少？参考价：￥2.5297。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF9610PBF批发价格及采购报价，IRF9610PBF销售排行榜及行情走势，IRF9610PBF报价。
IRF9610中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9610功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610L功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9610PBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610S功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610SPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610STRL功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9610STRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
