| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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IRTO-220 |
8816 |
0715+ |
只做原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
12048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRTO-263 |
26550 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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6125 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
16316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
4 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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60703 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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INFINEONTO-220 |
5000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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IRSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
35832 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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IRTO-220 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市索歌特科技有限公司10年
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15800 |
22+ |
华南区总代 |
IRF9520采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF9520图片
IRF9520NPBF价格
IRF9520NPBF价格：￥0.0000品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRF9520NPBF多少钱，想知道IRF9520NPBF价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF9520NPBF批发价格及采购报价，IRF9520NPBF销售排行榜及行情走势，IRF9520NPBF报价。
IRF9520PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9520功能描述:MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9520_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9520L功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9520N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9520NL功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9520NLPBF功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9520NPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.8A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:100V SINGLE P CHAN HEXFET POWER MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:Single P-Channel 100 V 48 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:48W;;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 100V 6.8A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9520NS功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
