| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRT0-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
3900 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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6000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
7268 |
22+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO263 |
7000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3900 |
21+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
3900 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
990 |
21+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
880 |
08+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAYTO-263 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISTO263 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO-263 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRSMD-D2PAK |
9888 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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14501 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
IRF830S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF830S图片
IRF830SPBF价格
IRF830SPBF价格：￥4.0437品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF830SPBF多少钱，想知道IRF830SPBF价格是多少？参考价：￥4.0437。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF830SPBF批发价格及采购报价，IRF830SPBF销售排行榜及行情走势，IRF830SPBF报价。
IRF830S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF830S功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF830SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF830STRL功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF830STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF830STRR功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF830STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
