| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4000 |
07+ |
SO-8 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
98000 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
8000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRSO-8 |
4000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRSOP-8 |
1345 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7088 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
22+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
12335 |
23+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRSOP8 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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IR最新 |
10701 |
原装正品 现货供应 价格优 |
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IRF7811WTRPBF 原装正品 假一赔十 深圳市美思星科技有限公司 陈小姐 0755-83785732
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IRF7811W中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7811W制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7811WGTRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7811WHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7811WPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7811WTR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7811WTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7811WTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
