| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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4900 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IORTSSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IOR1064 |
1008 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
4580 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologies8-TSSOP |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTSSOP8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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IORTSSOP8 |
300 |
23+ |
现货库存 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IORSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONSSOP-8 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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IRF7751GTRPBF 深圳市鑫欧美电子热卖
专业经营集成电路IC，二、三极电容，电阻，电容电话：0755-82708963/33167061张小姐，黄先生，QQ：1483286993/592442707http://www.szxom.com
IRF7751中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7751功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7751GPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance
IRF7751GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7751PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 4.5A TSSOP8
IRF7751TR功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7751TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7751TRPBF-EL制造商:International Rectifier
