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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

14年 留言
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    2024-4-19 18:34:00

IRF7601

IORTSSOP8

53500

2023+

正品,原装现货

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)MSOP-8

10613

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市华高宇电子有限公司

1年 留言
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INFINEON/IR

8000

12+

Micro-8

深圳市安博威科技有限公司

4年 留言
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INFINEON/IRMicro-8

8000

21+

原装正品 有挂有货

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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TSSOP8

68900

IOR

原包原标签100%进口原装常备现货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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IRNA/

5317

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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    国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室

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IOR1334

1989

23+

全新原装现货

深圳市英卓尔科技有限公司

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    广东省深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋4楼1号

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    2024-4-19 17:27:00

IRMSOP-8

2960

20+

诚信交易大量库存现货

深圳市振宏微科技有限公司

5年 留言
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    深圳市华强北街道上步工业区305栋C02室

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IRMSOP8

28000

23+

原装正品

深圳市力拓辉电子有限公司

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    肖小姐/李先生

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    深圳市福田区中航路都会电子城B座26楼26U室

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IORMSOP-8

5000

22+

只做原装,假一赔十 15118075546

深圳市华斯顿科技有限公司

14年 留言
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    朱先生-余先生-夏小姐-张小姐

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    深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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    2024-4-19 16:49:00

IORTSSOP8

29584

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

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IRTSSOP8

6000

22+

终端可免费供样,支持BOM配单

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

10年 留言
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    上海市闵行区万源路2800号

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IRPLCC-32

18000

23+

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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    2024-4-19 16:38:00

IORTSSOP8

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

2年 留言
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IRMSOP8

6000

原装现货,长期供应,终端可账期

深圳市特顺芯科技有限公司

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IORSSOP-8

100

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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IRMSOP8

13500

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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    李先生李小姐

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    深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室

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NATSSOP8

35200

21+

一级代理/放心采购

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

12年 留言
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    曹小姐(专营进口原装!公司现货!)

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IRFMicro8

2560

22+

绝对原装!现货热卖!

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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    李先生★★原厂授权一级分销★★

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IRSOP8

45000

1709+

普通

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IRF7601HR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 20V, 5.7A, 35 MOHM, 14 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube

IRF7601PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7601TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7601TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube