| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRMSOP8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologies8-TSSOP |
56800 |
19+ |
8-MSOP(0.118 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONMSOP-8 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRMICRO-8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-32 |
18000 |
23+ |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONMSOP-8 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IORSSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
11898 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IRMICRO8 |
2789 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货! |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRSSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRMSOP8 |
4816 |
01+ |
原装现货低价支持实单!样品可出! |
IRF7534D1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7534D1图片
IRF7534D1TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7534D1功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1PBF功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
