| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRMSOP-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
11048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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IRMSOP-8 |
2000 |
22+ |
挂着就有全新原装 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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IRMSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营SOP-8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRMSOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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172028 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRMSOP-8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRMSOP-8 |
9200 |
19+ |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IORMicro8 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRMSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRMSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IOR1331 |
9294 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRTSSOP8 |
6000 |
20+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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IRMSOP-8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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IRTSSOP8 |
5634 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NMicro8 (MO-187) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
IRF7530采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7530图片
IRF7530TRPBF价格
IRF7530TRPBF价格：￥1.7747品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF7530TRPBF多少钱，想知道IRF7530TRPBF价格是多少？参考价：￥1.7747。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7530TRPBF批发价格及采购报价，IRF7530TRPBF销售排行榜及行情走势，IRF7530TRPBF报价。
IRF7530中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7530制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
IRF7530PBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7530TR功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7530TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7530TRPBF-EL制造商:International Rectifier
