| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-32 |
18000 |
23+ |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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IRMSOP8 |
4250 |
23+ |
现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRMSOP8 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IR原厂封装 |
9896 |
23+ |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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IRMSOP-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
3750 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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IR |
35000 |
22+ |
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OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRMSOP8 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesMicro8? |
4000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRMSOP8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MSOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBsemi/台湾微碧MSOP-8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRMSOP8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRMSOP8 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
IRF7523D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7523D图片
IRF7523D1TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7523D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7523D1PBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7523D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7523D1TRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
