| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
30444 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
4000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
3536 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
18995 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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IRSOP |
1000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
16498 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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IRSOP8 |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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IRSMD |
20000 |
2018+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IOR原厂原装 |
6051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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原厂IC |
1 |
13+ |
普通 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IORSOP |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IOR |
9750 |
21468+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP |
15000 |
23+ |
全新原装现货假一赔十 |
IRF7463采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7463图片
IRF7463TRPBF价格
IRF7463TRPBF价格：￥4.0021品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRF7463TRPBF多少钱，想知道IRF7463TRPBF价格是多少？参考价：￥4.0021。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7463TRPBF批发价格及采购报价，IRF7463TRPBF销售排行榜及行情走势，IRF7463TRPBF报价。
IRF7463中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7463功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7463HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
IRF7463PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7463TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7463TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
IRF7463TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
