选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP |
3520 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRFSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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IRS0P8 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRS0P8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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IRSOP8 |
45000 |
1709+ |
普通 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IORSOP8 |
3720 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IR |
69915 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOP |
7540 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59810 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologies8-SOIC(0.154 |
56800 |
19+ |
3.90mmWidth) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IRNA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
IRF7453采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7453图片
IRF7453中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7453功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453PBF功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453TR功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7453TRPBF功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件