| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
23276 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
23+ |
特价库存 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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SAMSUNG/三星TO-220 |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO220 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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上海金庆电子技术有限公司16年
留言
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ST |
53 |
新 |
全新原装 货期两周 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO220 |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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SAMSUNG/三星TO220 |
6000 |
23+ |
只有原装正品,老板发话合适就出 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
10000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市海元微电科技有限公司1年
留言
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Harris Corporation原厂原装 |
100000 |
22+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SO8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP8 |
3000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
443 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRSOP8 |
35830 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
IRF743采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF743图片
IRF7433TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF743制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7433功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7433.PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8
IRF7433HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-Pin SOIC
IRF7433PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7433TR功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7433TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
