选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
40000 |
22+ |
A3-7货柜原装正品支持实单 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
40989 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRSOP-8 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
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INFINEONSOIC-8 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
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INFINEONSOIC-8 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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华星微半导体(深圳)有限公司1年
留言
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IRN/A |
5000 |
23+ |
代理分销,可追溯 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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IORSOP8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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INFINEONSOP |
50000 |
22+ |
100%公司原装现货,欢迎加Q微信咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEOSOIC8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IR8-SOIC |
6000 |
20+原装正品 |
大量现货,免费发样。 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONSOP8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
18364 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
5800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
3626 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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IRF7424PBF价格
IRF7424PBF价格:¥1.6489品牌:International
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更多IRF742制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF7420功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7420HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC
IRF7420PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7420TR功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7420TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7421D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7421D1_98制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7421D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件