| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
16274 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
12006 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
938 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
570 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
3373 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRSO-8 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
7906200 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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IRSOP-8 |
7821 |
19+/20+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
1400 |
05+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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IR23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营SOP-8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销低压MOS管 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
8000 |
20+ |
进口原装支持含税 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSOP8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
IRF7413Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7413Z图片
IRF7413ZTRPBF价格
IRF7413ZTRPBF价格：￥1.3128品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF7413ZTRPBF多少钱，想知道IRF7413ZTRPBF价格是多少？参考价：￥1.3128。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF7413ZTRPBF批发价格及采购报价，IRF7413ZTRPBF销售排行榜及行情走势，IRF7413ZTRPBF报价。
IRF7413ZTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7413Z功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7413ZGTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC
IRF7413ZPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413ZTR功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7413ZTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413ZUPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFT Power MOSFET
