| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOT23-3 |
56000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
3200 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
12384 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
6845 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-263-3 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62667 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世TO-263-3 |
8890 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3200 |
22+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
72800 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263-3 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
6341 |
22+ |
面向全世界客户,原装现货亿万库存 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHAYTO-263-3 |
29865 |
22+ |
优势库存.原装正品.终端BOM表可配单 |
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IRF740STRLPBF价格
IRF740STRLPBF价格：￥5.6829品牌：Vishay
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IRF740STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF740STRL功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740STRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF740STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
