选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOP-8 |
8000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
19905 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
32516 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8_150mil |
10021 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装承诺假一罚十 |
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深圳市联成美业电子有限公司年
留言
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7000 |
22+ |
询价15919799957 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRF |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
5955 |
2023+ |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IOR |
9750 |
21426+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
IRF7403采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7403图片
IRF7403TRPBF价格
IRF7403TRPBF价格:¥2.3893品牌:INTERNATIONAL
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IRF7403中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7403功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7403HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7403PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7403TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7403TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7403TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube